第一步需要使用陰性光刻膠（SU-8 2025）加工模具以得到所需微流控芯片模板的微結(jié)構(gòu)，具體操過程如下：

（1）前期準備：首先仔細清洗 4 個規(guī)格為 125 mm 的玻璃平皿，烘干備用，將掩膜裁剪至合適大小備用。

（2）配置 Piranha 溶液（現(xiàn)用現(xiàn)配）：首先將濃硫酸（98%）傾斜旋轉(zhuǎn)倒入干燥好的平皿中，隨后倒入 H2O2（30%），二者的體積比約為 3:1，通過晃動平皿使其充分混合。

（3）處理硅片：先將硅片浸泡在剛配置好的 Piranha 溶液中，并在浸泡過程中不斷晃動平皿持續(xù) 15 min。與此同時，將電熱板打開進行預熱，溫度梯度設置為 65 ℃和95 ℃。

（4）硅片清洗：硅片清洗分為 4 步。

首先用超純水進行清洗，用鑷子輕夾起硅片，用大量超純水進行沖刷以去除表面殘留的 Piranha 溶液。之后使用無水乙醇進行清洗。將無水乙醇倒入干凈平皿中，沒過硅片，后將硅片小心放入，不斷晃動平皿，清洗 1 min后，將乙醇倒出，留硅片在平皿底部。第三步使用丙酮進行清洗。將適量丙酮倒入平皿中，同樣使液體沒過芯片，而后不斷晃動平皿，清洗浸泡 1 min 后，用鑷子輕夾出硅片。最后使用大量超純水進行沖洗，以洗掉殘留的清洗液。

（5）硅片烘焙：為了去除硅片上的水分，需要將其進行烘烤。烘焙時，先將硅片緩慢靠近電熱板，蒸去表面水分后，將硅片輕放至電熱板上。打開計時器，每隔 1 min將硅片旋轉(zhuǎn)一定角度，保證其受熱均勻，持續(xù)烘焙 5 min。烘焙結(jié)束后，電熱板調(diào)溫至65 ℃?zhèn)溆谩?

（6）硅片修飾：待硅片冷卻后，將硅片放置于修飾皿中，使其暴露于 HDMS 蒸汽中 5 min。

（7）硅片甩涂：取適量（15 mL）陰性光刻膠 SU-8 2025 倒置于硅片正中央，緩慢傾斜轉(zhuǎn)動硅片使光刻膠平坦均勻的平鋪在硅片表面，然后靜置 5 min 使光刻膠分布均勻并平鋪在表面。將硅片固定在旋轉(zhuǎn)涂膜儀上，采用兩次遞進式甩涂的方法，設置低轉(zhuǎn)速 500 rmp 先甩涂 15 s，后設置高轉(zhuǎn)速 2500 rmp 再甩涂 75 s，為了盡量減少邊緣效應的影響，最后靜置 10 min。

（8）硅片前烘：將甩涂完成的硅片置于已預熱至 65  ℃的電熱板上，保持 1  min后，設置溫度為 95 ℃，達到設定溫度后再烘烤 4 min，期間保持芯片旋轉(zhuǎn)使受熱均勻。烘烤后輕取下芯片使其自然冷卻至室溫。烘焙結(jié)束后，電熱板調(diào)至 65 ℃?zhèn)溆谩?

（9）硅片曝光：將冷卻后的芯片置于紫外曝光機的吸盤上，組裝固定。紫外曝光的具體時間要依據(jù)芯片的具體要求進行調(diào)整，該實驗中設置通道高度為 100 μm，曝光時間設置為 75 s。

（10）硅片后烘：后烘需緊跟在曝光結(jié)束后。將曝光后的硅片置于已預熱至 65 ℃的電熱板上，保持 1  min 后，設置溫度為 95 ℃，達到設定溫度后再烘烤 4  min，期間保持芯片旋轉(zhuǎn)使受熱均勻。烘烤后輕取下芯片使其自然冷卻至室溫。

（11）硅片顯影：使用與陰性光刻膠 SU-8  2025 配套的顯影劑，將硅片在顯影劑中清洗浸泡，緩慢進行顯影，過程中需要仔細觀察，防止清洗過度導致微結(jié)構(gòu)被破壞。顯影吹干顯影液，后置于顯微鏡下進行檢查，確認無誤后備用。特別需要留意的是陰性光刻膠 SU-8  2025 不能與水混合，因此在顯影過程中需要避免與水接觸而造成的顯影失敗。