在基片背面以及邊緣貼上膠帶紙作為保護層。若觀察到除通道外有漏光點（鉻層被磨損），也可用膠帶紙保護。

       將刻蝕液倒入有蓋的小塑料盒內(nèi)，放入 40 ℃恒溫水浴振蕩器中，預(yù)熱5 min后。將基片通道面朝上，浸入塑料盒內(nèi)的刻蝕液(1:0.5:0.5 mol/L HF/NH4F/HNO3) 中，在緩慢搖動條件下進行刻蝕。通過控制刻蝕時間以控制通道的深度。在上述條件下，通常刻蝕速度約為1 mm/min。

       基片用自來水沖洗后除去膠帶紙。

       安全注意事項: 濕法刻蝕需要在通風(fēng)櫥內(nèi)進行, 并佩戴保護眼罩和塑膠手套。

•  刻蝕好的基片除去膠帶后要除去光膠和鉻層
•  用無水乙醇除去光膠
•  用去鉻液除去鉻層