• 微流控中的烘膠技術(shù)解。雖然顯影后不需要光引發(fā)劑進(jìn)行光反應(yīng)，但在未曝光狀態(tài)下，它有助于提高光刻膠膜的堿性穩(wěn)定性以及用于隨后的濕法蝕刻步驟或在pH值為7的溶液中進(jìn)行的電鍍...2025-01-07 10:20:54
• 光刻膠再吸水某些光刻膠的光化學(xué)作用要求在曝光過程中光刻膠膜中需要有水作為不可缺少的前驅(qū)體，但在前烘后立即進(jìn)行曝光則不能有足夠的時(shí)間吸收水分。本文主要介紹其原理、補(bǔ)水的方法和水分不足的可能的后果。光刻...2024-07-29 10:02:11
• 光刻膠的圖形反轉(zhuǎn)曝光劑量強(qiáng)烈影響著獲得的光刻膠輪廓形態(tài):低曝光劑量與光的穿透深度相比，光刻膠膜厚度越大，曝光劑量在深度方向的分布更為明顯。在低光劑量的情況下，襯底附...2024-07-09 09:32:09
• 光刻膠的保存和老化失效2保護(hù)，如果條件不允許，其失效速度與容器的形狀等有關(guān)，不能一概而論。帶光刻膠膜樣品的存放涂膠的晶圓保存，在晶圓上并經(jīng)過前烘的光刻膠膜可以在曝光前保存...2024-07-08 10:08:57
• 光刻膠去膠工藝光刻膠結(jié)構(gòu)。堿性溶液通常不能完全去除光刻膠殘留物，但是在這種情況下會在光刻膠膜產(chǎn)生下蠕變。然后或多或少地將殘留物帶離襯底上，然后將其完全清除。但是，...2024-07-05 09:43:47
• 光刻膠后烘技術(shù)烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于...2024-07-03 09:15:13
• 光刻膠顯影率增加。由于在較低的溫度下，已顯影的光刻膠形成的復(fù)合物更穩(wěn)定，因此其在光刻膠膜中的重新組裝受到抑制，所以在低溫下的速率最初驚人地增加。顯影液在多次顯...2024-07-02 09:36:33
• 光刻膠的硬烘烤技術(shù)雖然在顯影后不在需要光引發(fā)劑進(jìn)行光反應(yīng)，但在未曝光狀態(tài)下，它有助于提高光刻膠膜的堿性穩(wěn)定性，以及用于隨后的濕法蝕刻步驟或在pH值為>7的溶液中進(jìn)行的...2024-07-01 11:48:28
• 涂膠時(shí)發(fā)現(xiàn)襯底（or部分）涂不上膠怎么回事？用移液管或移液器取光刻膠時(shí)不正確的操作方式也會造成了氣泡以及由此導(dǎo)致的光刻膠膜的不均勻性（如果將移液管拉得太快，負(fù)壓會太大，引入氣泡）。如果在涂布前...2024-06-27 08:48:12
• 光刻膠的浸涂工藝在浸涂過程中，基材通常垂直地從一個(gè)充滿光刻膠的液池中提出來。富含溶劑的光刻膠膜從飽和溶劑的氣氛中形成。光刻膠液池正上方的飽和溶劑氣氛中(圖1所示)，...2024-06-26 09:18:28