微流控SU8掩膜版的制作是一個復雜的工藝過程，涉及到多個步驟。以下是詳細的制作流程：

1. 掩膜版設計

原理圖設計：根據(jù)微流控芯片的設計要求，進行原理圖設計，分析元件需接線方向，設計需要在掩膜版上印制的圖案。

版圖生成：使用專業(yè)的CAD軟件生成掩膜版的版圖，確保圖案的精確性和完整性。

2. 掩膜版制作

基板準備：選擇高潔凈度、高平整度的石英玻璃作為基板。

鍍層：在石英玻璃上鍍上一層鉻，鉻上再覆蓋一層防反射物質(zhì)，最上面涂覆一層感光膠。

曝光：使用圖形發(fā)生器通過選擇性曝光在鉻版的感光膠上形成所需版圖圖形。

顯影：將曝光后的基板放入顯影劑中，使未曝光部分的感光膠溶解，形成掩膜版的圖案。

腐蝕：使用腐蝕液去除未被感光膠保護的鉻層，形成最終的掩膜圖形。

去膠：去除剩余的感光膠，完成掩膜版的制作。

3. 硅片基板準備

清洗：采用丙酮對硅片表面進行清洗，再使用超聲波機對硅片進行超聲處理，最后經(jīng)等離子水清洗后，采用壓縮空氣吹干。

烘烤：將清洗干凈的硅片放置在熱板上進行烘烤，以去除殘留的水分。

4. 涂覆SU8光刻膠

涂膠：在硅片表面涂覆一層SU8-2025光刻膠，可以采用灘涂的方法，借助光刻膠自身的整平能力獲得滿意平整表面的膠膜。

前烘：將涂膠后的硅片放置在電熱板上進行前烘，采用階梯式的升溫和自然降溫冷卻的過程。

65℃停留30分鐘

95℃停留4小時

自然冷卻至室溫

5. 光刻曝光

曝光：使用雙面激光對準光刻機對硅片基板上的SU8-2025光刻膠進行曝光，根據(jù)設計要求設定曝光時間。

后烘：將曝光后的硅片放置在熱板上進行后烘，以確保光刻膠的交聯(lián)反應完成。

65℃停留20分鐘

95℃停留2小時

自然冷卻至室溫

6. 顯影

顯影：將后烘后的硅片放入SU8顯影液中，使未曝光部分的光刻膠溶解，形成模具的圖案。

顯影時間根據(jù)光刻膠厚度和顯影劑濃度進行調(diào)整，此處顯影時間20分鐘

7. 清洗和檢查

清洗：使用去離子水和異丙醇清洗硅片基板，去除殘留的顯影液。

檢查：使用顯微鏡檢查制備的SU-8模具，測試觀察制備的微結(jié)構(gòu)尺寸，確認圖案的清晰度和質(zhì)量。

微流控SU8掩膜版的制作是一個多步驟的精密工藝，需要嚴格控制每一步的操作條件，以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。通過上述步驟，可以制備出高質(zhì)量的微流控SU8掩膜版，為后續(xù)的微流控芯片制備提供基礎。

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