干法刻蝕（Dry Etching）是使用氣體刻蝕介質(zhì)。 常用的干法刻蝕方法包括物理刻蝕（如離子束刻蝕）和化學(xué)氣相刻蝕（如等離子體刻蝕）等。

與干法蝕刻相比，濕法刻蝕使用液體刻蝕介質(zhì)，通常是一種具有化學(xué)反應(yīng)性的溶液或酸堿混合液，是一種將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。主要在較為平整的膜面上刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射，刻蝕可用稀釋的鹽酸等。

簡(jiǎn)單來說，就是中學(xué)化學(xué)課中化學(xué)溶液腐蝕的概念，它是一種純化學(xué)刻蝕，具有優(yōu)良的選擇性，刻蝕完當(dāng)前薄膜就會(huì)停止，而不會(huì)損壞下面一層其他材料的薄膜。由于所有的半導(dǎo)體濕法刻蝕都具有各向同性，所以無(wú)論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。這樣一來，上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會(huì)存在一定的偏差，也就無(wú)法高質(zhì)量地完成圖形轉(zhuǎn)移和復(fù)制的工作，因此隨著特征尺寸的減小，在圖形轉(zhuǎn)移過程中基本不再使用。

目前，濕法刻蝕一般被用于工藝流程前面的晶圓片準(zhǔn)備、清洗等不涉及圖形的環(huán)節(jié)，而在圖形轉(zhuǎn)移中干法刻蝕已占據(jù)主導(dǎo)地位。 這些溶液可以與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕。 硅濕法刻蝕是一種相對(duì)簡(jiǎn)單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質(zhì)進(jìn)行。

然而，與干法刻蝕相比，它的刻蝕速度較慢，并且還需要處理廢液。 每個(gè)目標(biāo)物質(zhì)都需要選擇不同的化學(xué)溶液進(jìn)行刻蝕，因?yàn)樗鼈兙哂胁煌墓逃行再|(zhì)。 例如，在刻蝕SiO2時(shí)，主要使用HF； 而在刻蝕Si時(shí)，主要使用HNO3。 因此，在該過程中選擇適合的化學(xué)溶液至關(guān)重要，以確保目標(biāo)物質(zhì)能夠充分反應(yīng)并被成功去除。

“各向同性”和“各向異性”

在介紹濕法蝕刻和干法蝕刻的區(qū)別時(shí)，必不可少的詞是“各向同性”和“各向異性”。各向同性是指物質(zhì)和空間的物理性質(zhì)不隨方向變化，各向異性是指物質(zhì)和空間的物理性質(zhì)隨方向不同而不同。各向同性蝕刻是指在某一點(diǎn)周圍蝕刻進(jìn)行相同量的情況，各向異性蝕刻是指蝕刻在某一點(diǎn)周圍根據(jù)方向不同進(jìn)行的情況。例如，在半導(dǎo)體制造過程中的刻蝕中，往往選擇各向異性刻蝕，以便只刮削目標(biāo)方向，而留下其他方向。

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