熱鍵合（fusion bonding）

對玻璃和石英材質(zhì)刻蝕的微結(jié)構(gòu)一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質(zhì)的蓋片洗凈烘干對齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板，在上面的石墨板上再壓一塊重0.5 Kg的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。

玻璃芯片鍵合時，高溫爐升溫速度為10℃/分，在620℃時保溫3.5小時，再以10℃/分的速率降溫。石英芯片鍵合溫度高達(dá)1000℃以上。此方法對操作技術(shù)要求較高，芯片如一次封接后有干涉條紋可多次熱鍵合。

但熱鍵合不能用于含溫度敏感試劑、含電極和波導(dǎo)管芯片，也不能用于不同熱膨脹系數(shù)材料的封接。

一般地說，封接比在玻璃和硅片上刻蝕微結(jié)構(gòu)更困難，熱鍵合成品率也不高。

陽極鍵合（anodic bonding）

在玻璃、石英與硅片的封接中已廣泛采用陽極鍵合的方法。即在鍵合過程中 ，施加電場 ，使鍵合溫度低于軟化點(diǎn)溫度。

為防止熱鍵合可能發(fā)生的通道變形 ，甚至塌陷的現(xiàn)象 ，玻璃與玻璃之間的陽極鍵合已引起廣泛的興趣。在玻璃表面沉積上一層薄膜材料如多晶硅、氮化硅等作為中間層，在約700伏的電場下，升溫到400℃時，可使兩塊玻璃片鍵合。

文獻(xiàn)報道，在500～760伏電場下，升溫到500℃時，可使兩塊玻璃片鍵合而不需在玻璃表面沉積中間層。在兩塊玻璃板尚未鍵合時，板間空氣間隙承擔(dān)了大部分電壓降，玻璃板可視為平行板電容器，板間吸引力與電場強(qiáng)度的平方成正比。

因此，鍵合從兩塊玻璃中那些最接近的點(diǎn)開始，下板中可移動的正電荷（主要是Na+）與上板中的負(fù)電荷中和，生成一層氧化物（正是這層過渡層，使兩塊玻璃板封接），該點(diǎn)完成鍵合后，周圍的空氣間隙相應(yīng)變薄，電場力增大，從而鍵合擴(kuò)散開來，直至整塊密合。玻璃表面進(jìn)行拋光處理，減小玻璃之間間隙寬度，可降低鍵合溫度。

其它封接方法

有報道用HF和硅酸鈉粘結(jié)玻璃的低溫鍵合技術(shù)，用1 %HF 滴入兩玻璃片之間的縫隙中，在室溫下加40gf/ cm2壓力，2h即可鍵合成功，溫度升高60℃，1h即可完成；在兩玻璃片之間，通過硅酸鈉稀溶液中間層，在室溫下放置過夜，或 90℃下放置1h也能進(jìn)行鍵合。

Sayah等又報道了兩種低溫鍵合的方法：a.在兩片仔細(xì)清潔的玻璃片之間使用1μm厚的環(huán)氧膠，在1MPa的壓力和90℃條件下硬化；b.在100～200℃加高壓15h使之直接鍵合，壓力最高可用50MPa。

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