激光鍵合與真空熱壓鍵合的區(qū)別

什么是激光鍵合？

目前普遍使用的是鍵合技術(shù)是：共熔鍵合技術(shù)和陽極鍵合技術(shù)。共熔鍵合技術(shù)已用到多種MEMS器件的制造中，如壓力傳感器、微泵等都需要在襯底上鍵合機械支持結(jié)構(gòu)。硅的熔融鍵合多用在SOI技術(shù)上，如Si-SiO2鍵合和Si-Si鍵合，然而該鍵合方式需要較高的退火溫度。陽極鍵合不需要高溫度，但是需要1000-2000V的強電場才能有效的鍵合，這樣的強電場會對晶圓的性能造成影響。于是很多研究者引入了激光輔助鍵合的鍵合方式，其原理是將脈沖激光聚焦在鍵合的界面處，利用短脈沖激光的局部熱效應實現(xiàn)局部加熱鍵合。該鍵合方式具有無需壓力、無高溫殘余應力、無需強電場干擾等優(yōu)勢。

什么是真空熱壓鍵合？

熱壓鍵合是一種快速、簡便、可靠地焊接倒裝芯片的方法。顧名思義，這種鍵合方式需要借助壓力和溫度。這就意味著多種鍵合工藝。

熱壓鍵合原理：

熱壓鍵合的原理是，通過外部壓力使得工件表面緊密結(jié)合，依靠氫鍵形成初步鍵合，當鍵合壓力、鍵合恒溫時間一定時，隨著鍵合溫度的升高，離子和空穴在交界面上的擴散逐漸加劇，經(jīng)過一定時間的晶格調(diào)整和重構(gòu)，最后形成一個穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。

真空熱壓鍵合機的用途

（1）PMMA（亞克力）微流控芯片的熱壓封合

（2）PC（聚碳酸酯）微流控芯片的熱壓封合

（3）PP（聚丙烯）微流控芯片的熱壓封合

（4）COP（環(huán)烯烴聚合物）微流控芯片的熱壓封合

（5）COC（環(huán)烯烴類共聚物）微流控芯片的熱壓封合

真空熱壓鍵合機的特點

(1) 使用先進的PID恒溫控制加熱技術(shù)，溫度控制精確，溫度采樣頻率為0.1s，溫度準確穩(wěn)定；

(2)  采用航空鋁加熱工作平臺，上下面平整，熱導速度快，溫度均勻；

(3) 具有空氣加熱功能；

(4) 加熱面積大，涵蓋常用大小芯片；

(5) 風冷降溫，降溫速率均一，有利于提高鍵合效果；

(6) 壓力精確可調(diào)，針對不同的材料選用不同的鍵合壓力；

(7) 采用獨特的真空熱壓系統(tǒng)，在保證芯片不損壞的情況下大幅度提高鍵合成功率。

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